The Formation Process of Single Ordered Atomic Silicon Oxide Layer on the Si(100) Surface
張展源1*, 錢可翔1, 李國威1, 林登松1
1物理研究所, 國立清華大學, 新竹市, Taiwan
* presenting author:Chan-Yuen Chang, email:chanyuenchang@gmail.com
在晶圓製程線寬持續微縮的要求下,對半導體上的氧化層無論在厚度或品質上都需要更高的要求,本研究首次成功在Si(100)的表面上長出單一原子層的有序氧化矽結構之化合物,藉由掃描穿隧電子顯微鏡(STM)及X-射線光電子能譜儀(XPS)的運用,除了清楚了解其成長過程之外,也進一步觀察到氧化矽在表面上從晶相演化到非晶相結構的中間過程


Keywords: Silicon oxide layer, Oxygen atom, STM, XPS