化學氣相沉積法製備一維氮化鎵奈米線
黃庭宇(Ting-Yu Huang)1*, 許皓程(Hau Cheng Xu)1, 吳慧敏(Hue Min Wu)1
1Optoelectric Physics, Chinese Culture University, Taipei, Taiwan
* presenting author:庭宇黃, email:michael84826@yahoo.com.tw
氮化鎵的晶體結構為六方纖鋅礦結構,可產生介於藍光~紫光之間的發光波長(約364.7 nm),氮化鎵材料的研究與應用是目前半導體業界的熱潮,也是製作微電子元件及光電子元件的材料,氮化鎵具有寬的能隙(約3.4ev)、強的化學鍵、高的熱導率、穩定的化學性質和強的抗輻射能力,在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。本研究使用化學氣相沉積法透過V-L-S生長機制生長氮化鎵奈米線,本研究以奈米金作為催化劑,實驗一開始先將矽基板以磁控濺鍍機鍍上3nm的金,然後用針筒吸取適量的金屬Ga於船型坩鍋內與Ga2O3粉末充分混合,再將鍍好金屬催化劑的矽基板倒置於坩鍋上方,送入CVD高溫爐系統中,以950度的溫度與NH3反應,最後形成一維氮化鎵奈米線。在分析氮化鎵奈米線的結構方面本研究利用穿透式電子顯微鏡目的是觀察一維氮化鎵奈米線的表面形貌及分佈情形、拉曼光譜儀可由峰值的半高寬得知樣品的結晶性、X-ray繞射儀檢可得知樣品的晶格結構。


Keywords: 化學氣相沉積法, 氮化鎵, 濺鍍機