利用紫外光改善銅箔化學氣相沉積法生成之石墨烯的轉移方法
張明凱1*, 林宏一1
1材料科學系, 台南大學, 台南, Taiwan
* presenting author:張明凱, email:moon20475@hotmail.com
藉由化學氣相沉積法在銅箔上生成石墨烯的方法已經被廣泛的採用,為了應用在電子元件製作上,將石墨烯從銅箔上轉移至絕緣基板是有其必要性的。過去常見的轉移方法有熱裂解膠帶轉移法、使用聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methylmethacrylate),PMMA)的濕式轉移法等,卻有殘留物去除不完全的問題,因而影響石墨烯的光電性質。
本研究嘗試在石墨烯進行PMMA塗蓋後,使用紫外光照射降低兩者之間的鍵結,將銅箔蝕刻後轉移至目標基板(300nm-SiO2),再使用丙酮將PMMA去除後,利用光學顯微鏡的觀察及拉曼光譜儀分析,並與熱裂解膠帶轉移法、未照射紫外光之濕式轉移法相互比較,可以發現PMMA被有效地去除,電子遷移率有效提升,本研究改善了濕式轉移法,有利於石墨烯後續的分析測量與應用。


Keywords: 石墨烯, 濕式轉移法, 化學氣相沉積法, 銅箔