在銅箔上合成大面積單晶石墨烯之研究
邱柏竣1*, 林宏一1
1材料科學系, 國立台南大學, 台南市, Taiwan
* presenting author:邱柏竣, email:hj222666@hotmail.com
在本研究中,我們利用化學氣相沉積系統(Chemical Vapor Deposition : CVD)在銅箔上生長單晶石墨烯,而銅箔的前置處理以浸泡醋酸方式提高其平整度,可提供石墨烯較少成核點的效果,以減少石墨烯的皺褶。
透過CVD中使用甲烷做為碳源,並在氫氣與低壓的氛圍下進行高達攝氏1050度的熱處理,石英加熱管中置放於一半封閉式的小石英管,以提供生長單晶石墨烯的適宜環境,此空間只允許些微的氣體流量經過,整個實驗設計在減少晶核數目以利成長單晶,氣體參數的比值將直接影響石墨烯的樣貌。
最後,藉由掃描式電子顯微鏡分析表面形態,拉曼光譜儀分析層數以及穿透式電子顯微鏡之擇區繞射儀分析單晶,進行石墨烯品質的分析,實驗結果呈現品質良好的單層石墨烯。


Keywords: 石墨烯, CVD, 單晶